宽禁带半导体关键设备技术及发展

摘要：

宽禁带半导体设备技术是宽禁带半导体器件的支撑和重要基础.简要介绍了宽禁带半导体器件发展面临的设备问题,重点介绍了碳化硅晶体生长炉、碳化硅外延生长炉、碳化硅离子注入机和氮化镓MOCVD四种制约我国宽禁带半导体器件技术发展的关键设备,指出了宽禁带半导体设备技术的未来发展趋势.

关键词：宽禁带半导体、碳化硅、氮化镓、离子注入机、关键设备

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2013-06-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：4-8