SiC(0001)面和(000-1)面CMP抛光对比研究

摘要：

研究了SiC衬底(0001)面和(000-1)面不同的CMP抛光特性.分别采用pH值为10.38和1.11的改性硅溶胶抛光液对SiC衬底的(0001)Si面和(000-1)C面进行对比抛光实验.使用精密天平测量晶片抛光前后的质量,计算出CMP抛光工艺的材料去除速率.并使用强光灯、微分干涉显微镜和原子力显微镜检测晶片表面质量.发现采用酸性抛光液和碱性抛光液进行抛光,均有Vc＞Vsi;而对于(0001) Si面,有Vsi 酸＞Vsi碱；对于(000-1)C面,有Vc酸＞Vc碱.该结论对于探索最佳碳化硅的CMP抛光工艺具有较高价值.

关键词：碳化硅、(0001)Si面、(000-1)C面、化学机械抛光(CMP)、材料去除速率、粗糙度

所属期刊栏目：42

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2013-05-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：19-23