10.3969/j.issn.1004-4507.2013.04.001
超高真空化学气相沉积外延生长锗硅材料及其应用
综述了硅基锗硅薄膜的外延生长技术、设备及其在光电子器件上的应用,其中着重介绍了超高真空化学气相沉积系统(UHVCVD).目前来说,UHVCVD是产业化制备高质量锗硅材料的最佳选择.
锗硅、外延生长、超高真空化学气相沉积
42
TN304.054(半导体技术)
2013-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共9页
1-8,23
10.3969/j.issn.1004-4507.2013.04.001
锗硅、外延生长、超高真空化学气相沉积
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TN304.054(半导体技术)
2013-05-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共9页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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