硅通孔电镀铜填充工艺优化研究

摘要：

研究了孔径40μm的硅通孔铜电镀填充工艺，通过改善电镀工艺条件使得孔径40μm、孔深180μm的硅通孔得以填充满。首先，在种子层覆盖以及电镀液相同条件下通过改变电镀电流密度，研究不同电流密度对于铜填充的影响，确定优化电流密度为1ASD（ASD：平均电流密度）。之后，在相同电流密度下．详细分析了超声清洗、去离子水冲洗以及真空预处理等电镀前处理工艺对铜填充的影响。实验表明，采用真空预处理方法能够有效的将硅通孔内气泡排出获得良好的铜填充。最终铜填充率在电流密度为1ASD、真空预处理条件下接近100％。

关键词：硅通孔、电镀、电流密度、真空、填充率

所属期刊栏目：41

分类号：TN405.96(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2012-12-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：6-10