期刊专题

10.3969/j.issn.1004-4507.2012.08.002

影响区熔硅单晶电阻率均匀性的主要因素

引用
通过对弯曲的结晶界面的研究,分析其对分凝系数、分凝方向及界面杂质分布的影响;通过改变拉晶参数以改变结晶界面的弯曲程度,减小分凝系数的变化及径向分凝的强度。分析影响电阻率均匀性的主要因素,改变其生产工艺。

FZ单晶、结晶界面、径向分凝

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TN304.1(半导体技术)

2012-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共3页

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电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

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2012,41(8)

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