10.3969/j.issn.1004-4507.2012.08.002
影响区熔硅单晶电阻率均匀性的主要因素
通过对弯曲的结晶界面的研究,分析其对分凝系数、分凝方向及界面杂质分布的影响;通过改变拉晶参数以改变结晶界面的弯曲程度,减小分凝系数的变化及径向分凝的强度。分析影响电阻率均匀性的主要因素,改变其生产工艺。
FZ单晶、结晶界面、径向分凝
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TN304.1(半导体技术)
2012-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
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10.3969/j.issn.1004-4507.2012.08.002
FZ单晶、结晶界面、径向分凝
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TN304.1(半导体技术)
2012-11-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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