宏力半导体宣布成功建立国内首个0．18μm

摘要：

上海宏力半导体制造有限公司（以下简称“宏力半导体”），专注于差异化技术的半导体制造领先企业，宣布成功建立国内首个0．18μm“超低漏电”（Ultra—Low-Leakage，ULL）嵌入式闪存工艺平台。

关键词：半导体制造、国内、宏、嵌入式闪存、差异化、漏电

所属期刊栏目：41

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2012-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共1页

页码：58-58