PVT法掺钒SiC单晶生长电阻率变化规律研究

摘要：

在采用COREMA方法测试SiC晶片电阻率时发现同一晶片电阻率相差较大．主要体现在高阻（〉10^5Ω·cm量级）和低阻（〈10^5量级）并存，有的甚至超高阻（〉10^12量级）和低阻并存，针对这一测试结果，开展了相关的实验研究，SiC单晶半绝缘性能的实现是通过在单晶生长过程中掺入深能级杂质V来补偿浅施主N和浅受主B，利用二次质谱（SIMS）对同一晶片不同区域的杂质元素V、N和B含量进行测试，结果发现晶片中v和N的含量都在1×10^17量级时会出现同一晶片不同区域电阻率相差较大的情况，而当V含量在1×10^17量级，N含量在5×10^16量级以下时，可制备电阻率均匀性好的半绝缘SiC单晶。

关键词：SiC、电阻率、均匀性、COREMA、SIMS

所属期刊栏目：41

分类号：TN304.053(半导体技术)

在线出版日期：2012-08-18（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：31-34