相移掩模清洗结晶控制

摘要：

在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端（线宽0.18μm以下）集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模（Phase Shift Mask）制作过程中,掩模表面结晶（Haze）问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺（Recipe）对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺（Recipe）,可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。

关键词：集成电路、相移掩模、结晶、工艺方法

所属期刊栏目：41

分类号：TN305.97(半导体技术)

在线出版日期：2012-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：41-42,47