消除区熔硅单晶生长中“硅刺”的研究

摘要：

在无位错FZ硅单晶生长过程中,长＂硅刺＂是一种对单晶生长十分有害且常见的现象。单晶生长过程中一旦出现＂硅刺＂,如不能及时消除,会导致中途停炉,不仅浪费原料,而且影响生产,因此,如何减少和消除硅刺,是FZ单晶拉制中,需要着重解决的问题。对FZ硅单晶生长过程中,减少和消除硅刺进行了研究,尤其是加热线圈结构设计对抑制硅刺产生的重要作用。通过对线圈的合理改进,使FZ单晶生长过程中避免或减少＂硅刺＂的出现。

关键词：区熔、线圈、硅刺

所属期刊栏目：41

分类号：TN304.053(半导体技术)

在线出版日期：2012-08-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：32-34,52