化学机械抛光（CMP）过程中抛光盘温度控制的分析研究

摘要：

在化学机械抛光（CMP）过程中,温度是影响晶片最终抛光效果的主要因素之一,采用合理的温度控制方法,把温度控制在一定的范围内才能满足化学机械抛光的工艺要求。通过化学机械抛光机理分析阐述了抛光过程中热量产生的根源,介绍了一种温度控制系统的设计原理,并通过抛光实验验证并说明了温度控制的必要性。

关键词：抛光盘、温度控制、抛光实验

所属期刊栏目：40

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：5-8