面向硅片清洗技术的高浓度臭氧产生装置

摘要：

近来特大规模集成电路研发与生产的快速进展,硅片表面清洗至关重要。因此大连海事大学环境工程研究所采用强电离放电方法（折合电场强度达到380 Td,电子具有平均能量达到9 eV）研发成功国内首台具有知识产权dhO3g型系列高浓度臭氧产生器,其臭氧浓度达到240 mg/L。该装置具有自动化水平高,能耗低、体积小、高性价比等特点,并阐述了该装置的技术先进性及其技术指标。

关键词：臭氧、硅片清洗：强电离放电、性价比

所属期刊栏目：40

分类号：TN305(半导体技术)

资助基金：国家863项目2008AA06Z317;国家自然科学基金项目20778028

在线出版日期：2012-04-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：14-16