10.3969/j.issn.1004-4507.2011.05.012
区熔硅单晶掺杂技术概述
区熔硅单晶是制作电力电子器件的主要原材料,高质量的电力电子器件的发展对区熔硅单晶的高完整性、高纯度、高均匀性及大直径化提出了较高的要求.随着电力电子器件快速发展,市场需求急剧增加,为了深入的研究并应用掺杂技术,对几种掺杂工艺进行了分析和探讨.
区熔、硅单晶、掺杂
40
TN304.05(半导体技术)
2011-12-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
52-54
10.3969/j.issn.1004-4507.2011.05.012
区熔、硅单晶、掺杂
40
TN304.05(半导体技术)
2011-12-06(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共3页
52-54
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn