抛光盘、抛光头转速比对化学机械抛光效果的影响分析

摘要：

针对化学机械抛光(CMP)过程中,抛光盘、抛光头转速比不同,其晶片的抛光效果不同的现象,从运动学角度详细分析了CMP过程中晶片上任一点的去除速度和运动轨迹,并通过Matlab进行仿真,找出转速比与去除速度和运动轨迹的函数关系.

关键词：化学机械抛光、转速比、去除速度、运动轨迹

所属期刊栏目：40

分类号：TN305.2(半导体技术)

资助基金：国家863项目2009AA043101

在线出版日期：2011-12-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：9-14