化学机械抛光中的颗粒技术

摘要：

多层金属化是集成芯片以摩尔定律的速度更替的重要工艺手段.在多层金属化中,平坦的晶圆表面对每道工序的成功完成都是非常必要的,而化学机械抛光工艺能在每道工序之前将晶圆表面抛光.化学机械抛光主要是通过使用颗粒研浆去除材料来实现晶圆抛光.除了研浆本身的化学性质外,研浆的效果也受研磨颗粒性质的影响.如果我们能够更好的理解研磨颗粒的特性和颗粒研磨机制,将会有助于提高化学机械抛光效果.本文主要讨论了颗粒形成、研浆稳定性、颗粒润滑以及化学机械抛光中颗粒设计中的最新进展.

关键词：CMP、多层金属化、研磨颗粒、设计

所属期刊栏目：40

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2011-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：1-7