三维叠层DRAM封装中硅通孔开路缺陷的模拟

摘要：

采用硅通孔(TSV)技术的三维堆叠封装,是一种很有前途的解决方案,可提供微处理器低延迟,高带宽的DRAM通道.然而,在3D DRAM电路中,大量的TSV互连结构,很容易产生开路缺陷和耦合噪声,从而导致了新的测试挑战.通过大量的模拟研究.本文模拟了在三维DRAM电路的字线与位线中出现的TSV开路缺陷的故障行为,它作为有效测试和诊断这种缺陷方法的第一步.

关键词：三维堆叠封装、硅通孔、开路缺陷、耦合噪声、测试方法、诊断方法

所属期刊栏目：40

分类号：TH132

资助基金：This work was supported in part by the General Re- search Fund CUHK417807 and CUHK417808 from Hong Kong SAR Research Grants Council;in part by Na-tional Science Foundation of ChinaNSFCUnder grant No.60876029,and in part by a grant N CUHK417/08 from the NSFC/RGC Joint Research Scheme

在线出版日期：2011-04-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共13页

页码：29-41