高温离子注入靶盘设计

摘要：

简要介绍了高温离子注入靶室的设计.通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均匀性,满足了碳化硅掺杂、SOI晶片制造等特殊需要.

关键词：高温离子注入靶室、晶片爪、设计、热分析

所属期刊栏目：39

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2011-03-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：7-9,13