EUV掩膜版的等离子刻蚀法

摘要：

@@ 随着集成电路制造技术的进步,尽管CD已经接近物理和理论极限,其继续减小的趋势依旧延续着.无论如何,目前的光刻技术将在未来的几年之内达到极限,下一代使用更短波长的光刻技术即将进入人们的视线.

机标关键词：掩膜版、等离子、光刻技术、制造技术、理论极限、集成电路、短波长、物理、视线

所属期刊栏目：39

分类号：TN2;TP2

在线出版日期：2011-01-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：56,60