多晶硅真空区熔提纯技术研究

摘要：

对真空单晶用多晶硅真空区熔提纯技术进行了分析,通过理论实践相结合,对真空区熔提纯过程中的提纯速率、熔区长度、提纯次数以及其它工艺参数进行了分析,制定了获得目标电阻率、型号、直径的有效区熔提纯工艺.

关键词：多晶硅、提纯、提纯速率

所属期刊栏目：39

分类号：TN304.051(半导体技术)

在线出版日期：2010-11-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：16-19