后摩尔时代的封装技术

摘要：

介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术.采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减.将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台.在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步.随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代.

关键词：后摩尔定律时代、封装技术、发展趋势、TSV阵列堆叠、3D堆叠封装、多层嵌入式芯片、系统级封装

所属期刊栏目：39

分类号：TN405.97(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-08-31（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1-8