高k栅介质/金属栅结构CMOS器件的等效氧化层厚度控制技术

摘要：

随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小,绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄,由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重.传统的SiO2栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要,而利用高介电常数栅介质(高k)取代SiO2已成为必然趋势.综述了国内外对纳米尺度CMOS器件高k栅介质的等效氧化层厚度(EOT)控制技术的一些最新研究成果,并结合作者自身的工作介绍了EOT缩小的动因、方法和展望.

关键词：高k栅介质、等效氧化层厚度(EOT)、金属栅、氧吸除

所属期刊栏目：39

分类号：TN405(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2010-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：11-16