22 nm光刻技术前景

摘要：

在国际半导体技术蓝图(ITRS)指点定的22 nm节点中[1],该产业将在两种竞争的光刻解决方案中进行选择,这将取决于其产品的发展路线图.在某些情况下,业界甚至可能会同时使用两种方案.这两种竞争方案就是极紫外光刻技术(EUVL)和32 nm节点由193 nm浸没式双重图形光刻(DPL)扩展到多图形的光刻技术.讨论了两种技术,比较了两种技术所需的关键解决方案的现状,以及存在的挑战.

关键词：22nm节点、解决方案、极紫外光刻、双重图形光刻、多图形光刻

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2010-04-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

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