一种新型离子束刻蚀装置的研制

摘要：

介绍了一种新型离子束刻蚀装置.该装置具有如下特点:工件台可进行二维运动,带有自动挡板机构和独立的测束装置,中国电子科技集团公司第四十八研究所研制的平行束离子源,以及分子泵加机械泵的真空系统.工艺试验结果表明,该设备是一台先进的半导体工艺设备,性能稳定.刻蚀均匀性可达±4%.

关键词：离子束、刻蚀、均匀性

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2010-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：34-36