芯片背面磨削减薄技术研究

摘要：

通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果:并结合实例研究了现代磨削减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术,探讨脆性材料进行延性域磨削的加工机理.

关键词：背面减薄、自旋转磨削、亚表面损伤层、总厚度误差、延性域、崩边

所属期刊栏目：39

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2010-04-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：23-27