碳化硅单晶切割技术研究

摘要：

碳化硅单晶材料是第三代宽禁带半导体材料的代表,对电子产业的发展起到强有力的支撑.晶片加工技术是器件生产的重要基础和基本保证,任何具有优异特性的材料只有在成功有效的加工技术下才能发挥实际效能.本文介绍了切割工艺,通过工艺实验及对实验结果的分析,确定了切割工艺参数.

关键词：碳化硅、切割、刀片转速、切割速度

所属期刊栏目：38

分类号：TH305.1(泵)

在线出版日期：2010-02-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：36-38,48