离子注入技术现状与发展趋势

摘要：

离子注入制程已成为器件设计的最前端工作,现在更被视为实现32 nm和22 nm晶体管制程的推动要素.器件漏电流、浅结面制作,器件尺寸缩小,以及急速增加成本的挑战,正在限制摩尔定律的延伸.针对32 nm节点离子注入制程器件的工艺要求.介绍了离子注入设备的发展方向.

关键词：32 nm节点器件、漏电流控制、超浅结注入、大束流低能注入、单晶片注入、机械扫描

所属期刊栏目：38

分类号：TN305.3(半导体技术)

在线出版日期：2009-12-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：1-8