硅晶片热氧化前的清洗技术探索

摘要：

阐述了硅晶片表面的各种沾污对热氧化生长的氧化膜质量的影响.进行了数组热氧化前硅晶片表面沾污清洗的实验,分析清洗液浓度、温度、超声等因素对清洗效果的影响.在显微镜下观察试验结果,对清洗后硅晶片表面出现的微粗糙度、蚀点及损伤等情况做了详细分析,并对引起这些情况的因素重新制定考察水平,进行优化改进,得到最佳的清洗效果.

关键词：硅晶片、热氧化、沾污、清洗

所属期刊栏目：38

分类号：TN305.97(半导体技术)

在线出版日期：2009-10-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：13-15,40