期刊专题

10.3969/j.issn.1004-4507.2009.03.003

大面积高分辨率光刻技术研究

引用
以NSR1755i7A型投影曝光机为基础.分析了影响大面积精细光刻图形分辨率的主要因素.利用表面平坦化技术、BARC工艺技术和PEB工艺技术,解决了高分辨率和聚焦深度的矛盾,消除了曝光过程中出现的表面反射和因驻波造成曝光图形边缘罗纹状的现象,实现了大面积(17.5mm×17.5mm)、高长宽比(160)、高密集(占空比36%)、高分辨率亚微米(0.5μm)精细线条光刻.同时提出了采用两次曝光技术在NSR1755i7A型投影曝光机上实现了厚胶高分辨率图形的制作.

NSR1755i7A型投影曝光机、大面积精细图形光刻、分辨率、聚焦深度、表面平坦化、BARC、PEB

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TN305.7(半导体技术)

2009-05-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

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2009,38(3)

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