CMP后的晶圆的测量和评估方法研究

摘要：

综述了CMP后的晶圆测量方法,比较指出:光学干涉法适宜于测量较厚的薄膜,而椭圆偏振法精度较高.但成本高昂,适宜于测量薄的薄膜.CMP后需要检测晶圆的表面状况,列举了常用的扫描电子显微镜、原子力显微镜和光散射探测仪.扫描电子显微镜常用于特征线宽的测量,其精度可达4 nm;原子力显微镜是根据范德华力的原理制造,其探测精度高达0.1 nm;但二者最大的缺陷就是操作复杂,成像十分费时.散射探测仪根据光的散射理论制造,可以快捷地全表面成二维图像.是值得推荐的一种测量手段.最后,指出今后的测量技术对半导体工艺的影响.

关键词：化学机械平坦化、光学干涉法、椭圆偏振法、扫描电子显微镜、原子力显微镜、散射探测仪

所属期刊栏目：38

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2009-04-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：15-18,35