32 nm工艺及其设备

摘要：

2007年9月英特尔推出全球首款32 nm SRAM,2007年11月IBM推出32 nm SRAM;2007年12月台积电推出32 nm测试芯片.业界认为,2009年下半年量产32 nm芯片.32 nm芯片将采用193浸没式光刻与双重图形.高K电介质/金属栅极,超低k电介质,高K SOl等技术.为了使双重图形技术用于32 nm节点.ITRS2006修正版提出了具体的要求.2007年ASML推出XT:1900I.2008年尼康推出NSR-S6llC.以用于32 nm光刻工艺.

关键词：32 nm工艺、193 nm浸没式光刻、双重图形、光刻设备

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2009-03-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：34-36