期刊专题

10.3969/j.issn.1004-4507.2008.12.007

SiH2Cl2-NH3-N2体系LPCVD氮化硅薄膜生长工艺

引用
以自行研制的LPCVD设备所进行的工艺试验为基础,简要介绍了Si3N4薄膜的制备方法和LPCVD法制备的Si3N4薄膜的特性以及低压化学气相淀积(LPCVD)氮化硅的工艺.通过调节淀积温度、工艺气体流量、工艺压力及片距等工艺参数,最终使批量生产的氮化硅薄膜在均匀性、应力、耐腐蚀等方面均达到了使用要求.

氮化硅薄膜、LPCVD、工艺温度、工艺压力、气体流量、均匀性

37

TN305.5(半导体技术)

2009-03-10(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

30-33

暂无封面信息
查看本期封面目录

电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

37

2008,37(12)

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn