EUV光刻技术的发展

摘要：

介绍了半导体产业在制造极限的技术路线选择方面,下一代光刻技术-极紫外光刻设备面临的挑战及其开发和技术应用的进展现状.指出了在未来的22 nm技术节点极紫外光刻进入量产的可能性.

关键词：极紫外光刻、现状、光学系统、掩模、抗蚀剂、22nm技术节点

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.9(半导体技术)

在线出版日期：2009-01-06（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共8页

页码：20-27