低k电介质及其设备

摘要：

低k电介质、Cu互连和CMP已成为90/65/45 nm芯片制造的标准工艺.90 nm工艺要求k=3.0～2.9,65 nm工艺要求k=2.8～2.7,45 nm工艺要求k=2.6～2.5,大多采用2.5多孔的低k电介质,如TI、台积电.对于22 nm工艺,可能采用碳纳米管(CNT)替代Cu互连.

关键词：多孔低k电介质、Cu互连、化学机械抛光、碳纳米管、设备

所属期刊栏目：37

分类号：TN305(半导体技术)

在线出版日期：2008-07-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：28-30