期刊专题

10.3969/j.issn.1004-4507.2008.02.004

双段式加热锗单晶生长设备的结构设计

引用
锗单晶和锗单晶片是重要的半导体材料,锗单晶的生长广泛采用的是CZ(直拉)法,其主要结构包括底座及立柱装置、下传动装置、主炉室、插板阀、副炉室、籽晶提升旋转机构、液压驱动装置、真空系统、充气系统及水冷系统等.

锗单晶、双段式加热、单晶炉

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TN806.9(无线电设备、电信设备)

2008-05-21(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

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11-14

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电子工业专用设备

1004-4507

62-1077/TN

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2008,37(2)

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