CMP加工过程去除率的影响因素研究

摘要：

CMP的加工过程,是对晶圆表面进行全局平坦化的过程,去除率是整个过程较为关键的指标.影响去除率的有下压力、抛光盘及抛光头的转速、温度、抛光液的种类等,综合考虑这些因素不仅能得到合理的材料去除率,优化平坦化效果,而且还能提高生产效率.

关键词：全局平坦化、化学机械抛光、下压力、抛光盘、抛光液

所属期刊栏目：37

分类号：TN305.2(半导体技术)

在线出版日期：2008-06-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：34-37