向32 nm迈进的光刻技术

摘要：

概述了用于45 nm节点的各种光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司最新宣布的研究成果,探讨了各种光刻技术用于32 nm节点的可能性.

关键词：浸液式光刻、折射率、双重曝光、极紫外光刻、纳米压印光刻、曝光设备

所属期刊栏目：36

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2007-05-28（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共9页

页码：8-16