用于高产量MEMS以及3D互联技术的低成本深层反应离子刻蚀系统
新兴的3D互联技术以及高产量的MEMS应用需要成本低廉以及高产量的深层反应离子刻蚀系统.最优化的Alcatel深层反应离子刻蚀系统可以同时满足工艺以及硬件生产性能的高要求.这些都已经在典型刻蚀工艺上进行了研究,包括斜面刻蚀、堆叠时的CMOS刻蚀侧壁角度、3D高精度惯性传感器的良好控制的形貌、大面积刻蚀的打印机喷头和硅麦克风应用.优化的工艺参数意味着在刻蚀率,刻蚀的深宽比,notch free的工艺,光滑度以及高精度控制各方面的显著提高.Alcatel AMS 200”I-Productivity”DRIE机台用于高产量的工艺同时也确保了生产参数如整机效率的提高以及使用成本的降低,这是通过机台的无可替代的硬件以及工艺方案实现的.
3D互联、微机电系统、离子刻蚀系统、工艺参数
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TN405.98+3(微电子学、集成电路(IC))
2007-03-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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