生产型GaN MOCVD(6片机)设备中的压力控制技术

摘要：

反应室压力控制稳定是保证工艺重复性和陡峭界面生长的关键之一.分析了影响压力控制精度的主要因素,介绍了采用软件、硬件结合的方法,通过闭环压力控制、差压控制、高精度流量控制和补偿气路设计等技术手段,实现高精度压力稳定性和无扰动气体切换,首次在国产生产型GaN-MOCVD(6片机)设备上生长出高质量的多量子阱蓝光LED外延材料.

关键词：GaN MOCVD、压力控制、薄膜、界面、LED、多量子阱

所属期刊栏目：35

分类号：TN3(半导体技术)

资助基金：国家高技术研究发展计划863计划2002AA311243

在线出版日期：2007-01-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：61-64