10.3969/j.issn.1004-4507.2006.11.002
离子注入装备发展趋势
简述了现代集成电路制造工艺的发展状况,详细的介绍了制造工艺各技术节点离子注入工艺所面临的挑战及解决方案.
离子注入、等效掺杂、大角度注入、低能大束流
35
F4(工业经济)
2006-12-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
5-8,74
10.3969/j.issn.1004-4507.2006.11.002
离子注入、等效掺杂、大角度注入、低能大束流
35
F4(工业经济)
2006-12-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共5页
5-8,74
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn