193 nm浸液式光刻技术现状

摘要：

概述了193 nm浸液式光刻技术发展现状及技术路线,结合国际半导体技术发展指南(ITRS)和各公司在SPIE微光刻研讨会上宣布的最新研究成果,探讨了193 nm浸液式光刻技术的发展趋势.

关键词：浸液式光刻、曝光设备、折射率、偏振技术、双重曝光

所属期刊栏目：35

分类号：TN3(半导体技术)

在线出版日期：2006-08-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：1-6