有害气体防制与晶圆表面处理技术

摘要：

@@ 传统的半导体生产制程均使用湿式清洗技术清除晶圆表面的污染微粒,此一制程需用到大量的的有害化合物,造成作业人员危害及环境污染的问题.此外,因湿式清洗与润湿制程的超纯水用量约占半导体厂超纯水用量的60%,假如干式技术能取代部份湿式清洗步骤,将可减少可观的水资源及危害性化学用品使用量,并因而降低晶圆制程的风险.

机标关键词：有害气体、防制、晶圆、湿式、清洗技术、超纯水、半导体厂、作业人员、污染微粒、危害性、生产制程、环境污染、化学用品、水资源、使用量、化合物、润湿、清除、干式、风险

所属期刊栏目：35

分类号：S47;S85

在线出版日期：2006-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：34-35