CMP后的晶圆清洗

摘要：

@@ 使用有机硅酸盐玻璃(OSG)在铜制程中作为低介电系数的介电层,使得化学机械研磨(CMP)后的晶圆清洗成为一大挑战.由于OSG的甲醇高含量会形成疏水性的表面,而难以用水溶液来湿润它的表面.添加界面活性剂可以改善此问题,但也提高了有机物污染的风险.此外,水痕可能会使检测机台无法侦测出影响良率的缺陷.在这篇文章中,使用数种用于化学机械研磨后的清洗剂尝试解决这些问题.

机标关键词：晶圆、化学机械研磨、有机物污染、界面活性剂、硅酸盐玻璃、清洗剂、介电系数、表面、水溶液、疏水性、介电层、检测机、高含量、侦测、铜制、试解、湿润、缺陷、甲醇、风险

所属期刊栏目：35

分类号：TN4;TQ1

在线出版日期：2006-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：29-30,64