低温气胶无损伤清洗

摘要：

@@ 器件尺寸的缩小和新材料的引入给清洗带来的挑战,在多个版本的ITRS(国际半导体技术蓝图)中都有概述.简单的说,清除污染物需要最小的材料损失并且不能修改对损伤很敏感的材料结构.这对于从无支撑多晶硅栅结构上去除可能导致良率下降的污染物来说更是如此.在寻找满足这些要求的方案的过程中,研究了很多单晶圆清洗技术用于对敏感结构的无损伤清洗.然而,简单地把这些技术转移到单晶圆平台并不能保证它们能够满足所有的工艺要求.即使是单晶圆清洗,无损伤清洗的工艺限制也变得越来越明显.对于特征尺寸小于100纳米器件的无损伤清洗,单晶圆超声波振荡已被证明其能力有限.同时,单晶圆湿法清洗工艺还需要在清洗后使晶圆变干,这并不简单,而且是一个到目前为止还没有完全解决的挑战.一种不同于单晶圆清洗却能满足高级清洗要求的方案是低温气胶技术.这种干法工艺产生固态的气胶团簇,它们在合适的工艺条件下接触晶圆表面并将表面颗粒无损伤地移除.

机标关键词：无损伤、清洗技术、单晶圆、清洗工艺、半导体技术、污染物、材料结构、特征尺寸、器件尺寸、纳米器件、敏感结构、技术转移、工艺要求、工艺条件、干法工艺、表面颗粒、栅结构、新材料、无支撑、完全解

所属期刊栏目：35

分类号：TP2;TN3

在线出版日期：2006-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共2页

页码：28,35