10.3969/j.issn.1004-4507.2006.06.002
《国际半导体技术蓝图》(2005版)光刻部分解析
对2005年公布的<国际半导体就十时微蓝图>中光刻部分进行了介绍与分析,并与之前的版本进行比较,列出了光刻技术面临的挑战和潜在技术方案.最后指出,浸入式光刻、纳米压印、极紫外光刻和ML2将是未来几年重点研究对象.
国际半导体技术蓝图、光刻、挑战、ITRS
35
TN3(半导体技术)
2006-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
3-5,11
10.3969/j.issn.1004-4507.2006.06.002
国际半导体技术蓝图、光刻、挑战、ITRS
35
TN3(半导体技术)
2006-07-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）
共4页
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国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号：2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
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