4H-SiC同质外延中的缺陷

摘要：

从实验出发,用LPCVD外延系统在偏向<11-20>方向8°的4H-SiC(0001)Si面衬底上,利用CVD技术进行了4H-SiC同质外延生长.外延后在熔融KOH腐蚀液中进行腐蚀,使用SEM和光学显微镜表征方法探讨了CVD法4H-SiC同质外延中的位错、微管和孪晶等缺陷形貌,并分析其形成机理.

关键词：4H-SiC、LPCVD、同质外延、微管、位错、SEM

所属期刊栏目：34

分类号：TN304.054(半导体技术)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：62-64,74