4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究

摘要：

对于栅挖槽的4H-SiC MESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要.反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重.选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后的表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤.工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1.制成的4H-SiC MESFET 直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350 mA/mm.

关键词：4H-SiC、MESFET、反应离子刻蚀、牺牲氧化、肖特基势垒

所属期刊栏目：34

分类号：TN304.054(半导体技术)

在线出版日期：2005-12-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：59-61