φ300mm内存制造的新芯片检查策略

摘要：

在晶圆制造的良率维持、缺陷的侦测与再检查,目前的检测方法,很难提供高侦测感度,与高取样率,全芯片扫描,快速产能,并维持低成本.传统的检测方法,分别以高感度的明视场检查,与高产能的暗视场检查,无法再满足缺陷检查需求,特别是在大量晶圆产出的环境.在此,由力晶半导体提出创新的缺陷检查策略,即整合明视野/暗视野检查机台,并最佳化,以使产出最大化,异常缺陷反应快速化等目标.

关键词：缺陷、检查、策略、φ300mm晶圆

所属期刊栏目：34

分类号：TN307(半导体技术)

在线出版日期：2005-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：43-47