在ICE设备上进行低材料灰化技术

摘要：

为满足半导体产品的高性能化,Low-k(低导电)材料正被使用于层间绝缘膜,但是Low-k材料在灰化(Ashing)过程中由于高温及氧自由基(O-radical)的作用而引起材质变化导致导电率上升的问题的发生.为解决这个问题,在ICE设备上开发了灰化Low-k周边的低温处理工艺.Low-k导电率变化系在Low-k表面生成高导电率氧化层所致,所以为减少导电率变化须选择合适的离子源生成尽可能薄的氧化层是非常重要的且已被证明.在这里,Low-k灰化时导电率变化的机理,改善效果及相关运用作个介绍.

关键词：灰化、低导电、氧自由基

所属期刊栏目：34

分类号：TN304(半导体技术)

在线出版日期：2005-04-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：63-68