用SiH2Cl2沉积MEMS中的多晶硅薄膜研究

摘要：

用SiH2Cl2在3种温度下进行了多晶硅薄膜的沉积,根据膜厚计算出了沉积速率,用SEM、XRD和薄膜应力测试仪对薄膜进行测试分析.证明用SiH2Cl2在950℃时可以快速沉积用于MEMS的多晶硅.

关键词：MEMS、SiH2Cl2、多晶硅薄膜、XRD、薄膜应力

所属期刊栏目：34

分类号：TN44(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家重点基础研究发展计划973计划G200036504;国家自然科学基金60290081,90207004,60236010

在线出版日期：2005-03-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：28-30