二次电子显微镜的自动缺陷分类(SEM ADC)新应用-新产品设计转移

摘要：

随着集成电路工业的快速成长,需在短时间内,引进愈小组件设计且导入量产的时间,愈来愈短.为了新产品能尽早导入量产,产品的缺陷的再检查(review)与分类是必要的,以期提供快速缺陷原因分析,改善良率与生产.在传统的做法中,建立新产品的二次电子显微镜的自动缺陷再检查/自动缺陷分类(SEM ADR/ADC)最佳化程序,需时至少1个月,以收集足够的二次电子影像数据库,但是,这已经无法符合集成电路工业产品快速转换的需求,提出一种省时间的(模块程序概念).这概念使不同产品的相似组成/结构层(layer),不需要额外的二次电子显微镜的自动缺陷再检查/自动缺陷分类(SEM ADR/ADC)程序建立时间,利用此方法,台湾力晶半导体φ300 mm晶圆厂利用0.15μm的缺陷数据库,成功地在2小时内建立新的0.13 μm产品线上二次电子显微镜的自动缺陷再检查/自动缺陷分类(SEM ADR/ADC)程序,加速缺陷原因分析与良率提升.

关键词：二次电子显微镜的自动缺陷再检查/自动缺陷分类、良率提升、缺陷原因分析

所属期刊栏目：33

分类号：TN407(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2004-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：23-28