分辨力增强技术在65 nm浸没式ArF光刻中的应用

摘要：

首次利用自主研发的光刻辅助设计软件MicroCruiser结合Prolith8.0.2,研究了分辨力增强技术在65 nm浸没式ArF光刻中的应用,研究表明,相移掩模结合传统照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较大.而传统掩模结合离轴照明可以获得较大的工艺窗口,但是,引起的曝光图形偏移较小.因而,通过对单个像差的控制和进行的不同Zernike系数组合,可以大大减少曝光图形的偏移.

关键词：浸没式ArF光刻、下一代光刻、像差和图形偏移、工艺窗口、光刻仿真

所属期刊栏目：33

分类号：TN305.7(半导体技术)

在线出版日期：2004-12-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：9-13,22